收藏本站
NTGS3441P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
4
16
400
200
C iss
3
2
V DS
Q GS
Q GD
V GS
12
8
C oss
1
4
0
0
4
8
12
16
C rss
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I D = ?3.0 A
T J = 25 ° C
3
0
3.5
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
10
V DD = ?10 V
I D = ?1.5 A
V GS = ?4.5 V
t r
t d(off)
t d(on)
8
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
t f
2
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
http://onsemi.com
4
?V SD, SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTGS3441T1 MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
NTGS3443BT1G MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
NTGS3443T1 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGS3446T1 MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP
NTGS3447PT1G MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP
NTGS3455T1 MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
NTGS4111PT2G MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGS4141NT1G MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
NTGS3441T1 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3441T1/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 1 Amp， 20 Volts
NTGS3441T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 1 Amp, 20 VoltsP−Channel TSOP−6
NTGS3441T1G 功能描述:MOSFET 20V 1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3443 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 4.4 Amps, 20 Volts
NTGS3443B 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, TSOP-6
NTGS3443BT1G 功能描述:MOSFET -20V -4.2A SGL P-CHN TSOP-6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3443T1 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube